[导读] 基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。关键词：

　　EMIMOSFETPCB

　　基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用 中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。导通电阻的显著降低和寄生电容的降低虽然有助于提高效 率，但也产生电压（dv/dt）和电流（di/dt）的快速开关转换，形成高频噪声和辐射EMI。

　   为驱动快速开关超级结MOSFET，必须了解封装和PCB布局寄生效应对开关性能的影响，以及为使用超级结所做的PCB布局调整。主要使用击穿电压为 500-600V的超级结MOSFET。在这些电压额定值中，工业标准TO-220、TO-247、TO-3P和TO-263是应用最广泛的封装。封装对 性能的影响有限，这是因为内部栅极和源极绑定线长度是固定的。只有引脚的长度可以改变，以减少封装的源极电感。如图1（a）所示，10nH的典型引线电感 看起来不大，但这些MOSFET的di/dt可轻松达到500A/μs！假定di/dt为500A/μs，10nH引线电感上的电压为VIND=5V；而 10nH引线电感的关断di/dt为1，000A/μs，可产生VIND=10V的电压。大多数应用和设计都未考虑到此附加电感也会产生电压，但这一点不 可忽视。以上简单计算显示，封装的总源极电感，即绑定线和引脚电感必须降低至可接受的数值。噪声的另一个来源是布局寄生效应。有两种可见的布局寄生效应： 寄生电感和寄生电容。1cm走线的电感为6-10nH，通过在PCB顶部添加一层并在PCB底部添加GND层，可降低此电感值。另一类型是寄生电容。图 1（b）显示了布局中容性寄生效应的原理。寄生电容由两条相近走线之间或走线与另外一侧的地平面之间引起。另一种电容为器件和地平面间的电容。PCB板两 面上的两个并行走线能够增加电容，同时还能减少回路电感，从而减少电磁噪声辐射。下次设计需要超级结MOSFET时，请考虑这些布局提示。